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A2G26H281-04SR3

RF Power GaN Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2G26H281-04SR3

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：NI-780S-4L 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    A2G26H281-04SR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2.496GHz ~ 2.69GHz

  • 增益：

    14.2dB

  • 功率 - 輸出：

    50W

  • 封裝/外殼：

    NI-780S-4L

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-780S-4L

  • 描述：

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多A2G26H281-04SR3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-5 14:14:00

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