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A2G26H281-04SR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
A2G26H281-04SR3 |
| 參數(shù)屬性 | A2G26H281-04SR3 封裝/外殼為NI-780S-4L；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| 功能描述 | RF Power GaN Transistor |
| 封裝外殼 | NI-780S-4L |
| 文件大小 |
270.08 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-20 16:36:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
A2G26H281-04SR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
2.496GHz ~ 2.69GHz
- 增益：
14.2dB
- 功率 - 輸出：
50W
- 封裝/外殼：
NI-780S-4L
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-780S-4L
- 描述：
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
1822+ |
SMD |
9852 |
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