A2G35S160-01SR3_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-恩智浦

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原廠料號:A2G35S160-01SR3品牌:NXP USA Inc.

資料說明:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

A2G35S160-01SR3是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商NXP/恩智浦生產(chǎn)封裝NI-400S-2S的A2G35S160-01SR3晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號:

    a2g35s160-01sr3

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  • 企業(yè)簡稱:

    NXP【恩智浦】詳情

  • 廠商全稱:

    NXP Semiconductors

  • 中文名稱:

    恩智浦半導體公司

  • 資料說明:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    A2G35S160-01SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    3.4GHz ~ 3.6GHz

  • 增益:

    15.7dB

  • 功率 - 輸出:

    51dBm

  • 封裝/外殼:

    NI-400S-2S

  • 供應商器件封裝:

    NI-400S-2S

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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