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A2G35S160-01SR3

RF Power GaN Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2G35S160-01SR3

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：NI-400S-2S 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    A2G35S160-01SR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    3.4GHz ~ 3.6GHz

  • 增益：

    15.7dB

  • 功率 - 輸出：

    51dBm

  • 封裝/外殼：

    NI-400S-2S

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-400S-2S

  • 描述：

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
NXP USA Inc.
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更多A2G35S160-01SR3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-5 14:14:00

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