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A2T18H455W23NR6

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2T18H455W23NR6

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：OM-1230-4L2S 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    A2T18H455W23NR6

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.805GHz ~ 1.88GHz

  • 增益：

    14.5dB

  • 額定電流（安培）：

    10μA

  • 功率 - 輸出：

    56dBm

  • 封裝/外殼：

    OM-1230-4L2S

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    OM-1230-4L2S

  • 描述：

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多A2T18H455W23NR6供應(yīng)商 更新時間2025-1-8 15:56:00

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