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A2T18S162W31GSR3

RF Power LDMOS Transistors

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs These32WRFpowerLDMOStransistorsaredesignedforcellularbase stationapplicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidthcapability coveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. Features ?DesignedforWideInstantaneousBandwidt

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2T18S162W31GSR3

Package：NI-780GS-2L2LA；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：IC TRANS RF LDMOS

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    A2T18S162W31GSR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.84GHz

  • 增益：

    20.1dB

  • 功率 - 輸出：

    32W

  • 封裝/外殼：

    NI-780GS-2L2LA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-780GS-2L2LA

  • 描述：

    IC TRANS RF LDMOS

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
FREESCALE
23+
1688
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NXP
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NI-780
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NI780GS2L2LA
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NI780GS2L2LA
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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NXP USA Inc.
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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更多A2T18S162W31GSR3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-11 10:30:00

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