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A5G35H120N分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
A5G35H120N |
參數屬性 | A5G35H120N 封裝/外殼為10-PowerLDFN;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, |
功能描述 | Airfast RF Power GaN Transistor |
封裝外殼 | 10-PowerLDFN |
文件大小 |
210.73 Kbytes |
頁面數量 |
11 頁 |
生產廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導體公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-1-20 15:08:00 |
產品屬性
- 產品編號:
A5G35H120NT2
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
散裝
- 頻率:
3.3GHz ~ 3.7GHz
- 增益:
14.1dB
- 功率 - 輸出:
18W
- 封裝/外殼:
10-PowerLDFN
- 供應商器件封裝:
10-DFN(7x10)
- 描述:
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP SEMICONDUCTORS |
22+ |
NA |
30000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
NXP SEMICONDUCTORS |
22+ |
N/A |
4106 |
原裝原裝原裝 |
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R-6 |
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NXP |
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NXP Semiconductors |
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NXP |
500 |
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