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A5G35H120N分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A5G35H120N
廠商型號

A5G35H120N

參數屬性

A5G35H120N 封裝/外殼為10-PowerLDFN;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

功能描述

Airfast RF Power GaN Transistor

封裝外殼

10-PowerLDFN

文件大小

210.73 Kbytes

頁面數量

11

生產廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-20 15:08:00

產品屬性

  • 產品編號:

    A5G35H120NT2

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 頻率:

    3.3GHz ~ 3.7GHz

  • 增益:

    14.1dB

  • 功率 - 輸出:

    18W

  • 封裝/外殼:

    10-PowerLDFN

  • 供應商器件封裝:

    10-DFN(7x10)

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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