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ADM200N06

Marking：ADM200N06；Package：TO-220C；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM200N06seriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunct

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛德微愛德微(深圳)電子有限公司

ADM200N06G

Marking：ADM200N06G；Package：TO-263-2；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM200N06GseriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunc

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛德微愛德微(深圳)電子有限公司

IXFN200N06

HiPerFETPowerMOSFETs

HiPerFET?PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ?Internationalstandardpackages ?miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ200N06P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTQ200N06P

PolarHTPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

LMPC200N06

N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

SG200N06S

DiscreteIGBTs

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

SG200N06S

DiscreteIGBTs

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司

SII200N06

NPTIGBTModules

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

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更多ADM200N06供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 14:57:00

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