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AFGY100T65SPD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

AFGY100T65SPD
廠商型號

AFGY100T65SPD
參數(shù)屬性

AFGY100T65SPD 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
功能描述

Field Stop Trench IGBT with Soft Fast Recovery Diode 100A, 650V
IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
絲印標(biāo)識

65SPD
封裝外殼

TO-247-3LD / TO-247-3
文件大小

252.91 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-29 18:25:00
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AFGY100T65SPD規(guī)格書詳情

AFGY100T65SPD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的AFGY100T65SPD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    AFGY100T65SPD

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.05V @ 15V，100A

  • 開關(guān)能量：

    5.1mJ（開），2.7mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    36ns/78ns

  • 測試條件：

    400V，100A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
2223+
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25000
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30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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