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AIGW50N65H5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 650V TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AIGB50N65H5	文件：1.6323 Mbytes Page：14 Pages	HighspeedIGBTinTRENCHSTOPTM5technology FeaturesandBenefits: HighspeedH5technologyoffering: ?Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies ?PlugandplayreplacementofpreviousgenerationIGBTs ?650Vbreakdownvoltage ?LowgatechargeQG ?Maximumjunctiontemperature175°C ?Dynamicallystresste	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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