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AN1009

Negative undershoot NVRAM data corruption

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

ARS1009

3GHzMICROWAVERELAYSMiniaturesizeLineupincludes50/75廓type

FEATURES 1.Superminiaturedesign 14×8.6×7.2mm.551×.339×.283inch (standardPCboardterminal) 2.Lineupincludessilenttype.(75?typeonly) Operationnoise(Unit:dB) 3.Excellenthighfrequencycharacteristics 4.Lineupincludessurface-mountterminaltype E

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

ARX1009

SMALLMICROWAVERELAY

NAISNais(Matsushita Electric Works)

松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司

ARXP1009

3GHzMICROWAVERELAYWITH60WCARRYINGPOWER

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

AU-Y1009

CONTACTAREA:GOLDPLATED5U

ASSMANN

ASSMANN WSW COMPONENTS

BF1009

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode ?Forlownoise,highgaincontrolled inputstagesupto1GHz ?Operatingvoltage9V ?Integratedstabilizedbiasnetwork

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BF1009S

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHzOperatingvoltage9VIntegratedbiasnetwork)

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode ?Forlownoise,highgaincontrolled inputstagesupto1GHz ?Operatingvoltage9V ?Integratedbiasnetwork

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BF1009S

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode ?Forlownoise,highgaincontrolled inputstageupto1GHz ?Operatingvoltage9V ?Integratedbiasingnetwork ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BF1009S

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BF1009SR

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode ?Forlownoise,highgaincontrolled inputstageupto1GHz ?Operatingvoltage9V ?Integratedbiasingnetwork ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多AN1009供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-8 15:41:00

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