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AOB12N50中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

AOB12N50
廠商型號(hào)

AOB12N50

功能描述

500V, 12A N-Channel MOSFET

文件大小

439.68 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

AOSMD萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

中文名稱

美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-27 18:51:00

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AOB12N50規(guī)格書(shū)詳情

General Description

The AOT12N50 & AOB12N50 & AOTF12N50 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline powersupply designs.

VDS 600V@150℃

ID(at VGS=10V) 12A

RDS(ON) (at VGS=10V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AOB12N50

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 500V 12A TO263

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
AOS/萬(wàn)代
10+
TO-263
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu)
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優(yōu)勢(shì)供應(yīng) 實(shí)單必成 可13點(diǎn)增值稅
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