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IRHM7460SE

SimpleDriveRequirements

IRF

International Rectifier

IRHNA7460SE

SimpleDriveRequirements

IRF

International Rectifier

IRHNA7460SE

TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=500V,Rds(on)=0.32ohm,Id=20A)

RADHard?HEXFET?TECHNOLOGY InternationalRectifier’sRADHardTMHEXFET?MOSFETtechnologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.Thesedeviceshavebeencharacterizedforb

IRF

International Rectifier

IRHNB7460SE

RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-3)

IRF

International Rectifier

KRF7460

HEXFETPowerMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

NX7460LE

LASERDIODE

1480nmEDFAAPPLICATION InGaAsPMQW-FPLASERDIODEMODULE DESCRIPTION TheNX7460LEisa1480nmpumpinglaserdiodemodulewithopticalisolatorforanEDFA(ErDopedoptical FiberAmplifier)thatcanexpandthetransmissionspanandcompensateopticallosses.ThedeviceisaMultiple Qu

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NX7460LE

1480nmEDFAAPPLICATIONInGaAsPSTRAINEDMQWDC-PBHLASERDIODEMODULE

DESCRIPTION TheNX7460LEisa1480nmpumpinglaserdiodemodulewithopticalisolatorforanEDFA(ErDopedopticalFiberAmplifier)thatcanexpandthetransmissionspanandcompensateopticallosses.IthasastrainedMultipleQuantumWell(st-MQW)DC-PBHlaserdiodethatfeatureshighoutput

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NX7460LE

1510nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPSTRAINEDMQWDC-PBHLASERDIODEMODULE

DESCRIPTION TheNX8501Seriesisa1510nmphase-shiftedDFB(DistributedFeed-Back)laserdiodewithsinglemodefiber. TheMultipleQuantumWell(MQW)structureisadoptedtoachievestabledynamicsinglelongitudinalmodeoperationoverwidetemperaturerangeof0to+65°C. Itisdesigned

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NX7460LE

InGaAsPSTRAINEDDC-PBHLASERDIODEMODULE1625nmTELEMETRYAPPLICATION

DESCRIPTION TheNX7660JCisa1625nmnewlydevelopedStrainedMultipleQuantumWell(St-MQW)structurelaserdiodeDIPmodulewithsinglemodefiberandinternalthermoelectriccooler.Itisdesignedforlightsourcesoftelemetryequipment. FEATURES ?OutputpowerPf=5mWMIN.@IF=65mA

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NX7460LE-BA

1480nmEDFAAPPLICATIONInGaAsPSTRAINEDMQWDC-PBHLASERDIODEMODULE

DESCRIPTION TheNX7460LEisa1480nmpumpinglaserdiodemodulewithopticalisolatorforanEDFA(ErDopedopticalFiberAmplifier)thatcanexpandthetransmissionspanandcompensateopticallosses.IthasastrainedMultipleQuantumWell(st-MQW)DC-PBHlaserdiodethatfeatureshighoutput

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

詳細參數

  • 型號：

    AON7460

  • 功能描述：

    MOS N CH 300V 4A DFN3X3A_EP

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Alpha & Omega Semiconductor In
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更多AON7460供應商 更新時間2025-4-26 14:13:00

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