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AP01N60H-HF	文件：1.08593 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AP01N60J	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforAC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP01N60J)isavailableforlow-profileapplications. Dynamicdv/dtRating RepetitiveAvalancheRated FastSw	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP01N60J-HF	文件：100.39 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristics	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP01N60P	文件：60.29 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialapplications.ThedeviceissuitedforDC-DC,DC-ACconvertersfortelecom,industrialandconsumerenvironment. Dynamicdv/dtRating RepetitiveAvalancheRated FastSwitching SimpleDriveRequir	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
CJD01N60	文件：676.61 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJU01N60	文件：451.23 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJU01N60	文件：1.52187 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CJV01N60	文件：623.75 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CMT01N60	文件：189.23 Kbytes Page：7 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司	CHAMP
CMT01N60	文件：259.17 Kbytes Page：8 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
CMT01N60	文件：288.4 Kbytes Page：8 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司	CHAMP
FTN01N60C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
GE01N60	文件：297.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GE01N60	文件：294.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGE01N60providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.ThedeviceissuitedforDC-DC,DC-ACconvertersfortelecom,industrialandconsumerenvironment. Features *Dynami	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GI01N60	文件：237.94 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GI01N60	文件：288.98 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
GJ01N60	文件：238.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGJ01N60providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching. TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsand suitedforAC/DCconverters. Features Dynamicdv/dtRating SimpleDriveRequir	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GM01N60D/U	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
H01N60	文件：59.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H01N60I	文件：59.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC

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更多AP01N60H-HF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 9:57:00

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