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AP2302N	文件：77.1 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ▼Capableof2.5Vgatedrive ▼Smallpackageoutline ▼Surfacemountpackage	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2302N-HF	文件：92.21 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23Spackageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageappl	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2302N-HF_14	文件：92.2 Kbytes Page：4 Pages	Lower Gate Charge	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
ASI2302	文件：18.25 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI2302isDesignedforGeneralpurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto3000MHz. FEATURES: ?PG=9.5dBmin.at2W/2300MHz ?HermeticMicrostripPackage ?Omnigold?MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AT-2302	文件：221.61 Kbytes Page：3 Pages	StriplineMountingFixedAttenuators	HIROSEHirose Electric Company 廣瀨日本廣瀨電機(jī)株式會社	HIROSE
ATN2302	文件：13.85927 Mbytes Page：51 Pages	Heavydutyswitches&pilotlightsofferbothvarietyandreliabilityEnduresharshenvironments	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
AUIRS2302S	文件：394.78 Kbytes Page：19 Pages	Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation	IRF International Rectifier	IRF
BB-2302	文件：117.34 Kbytes Page：2 Pages	InsulKrimp??PiggybackQuickDisconnect,Tab6.35mm(.250)by0.81mm(.032),14-16AWG,BlueInsulator,Tape	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BB-2302T	文件：116.13 Kbytes Page：2 Pages	InsulKrimp??PiggybackQuickDisconnect,Tab6.35mm(.250)by0.81mm(.032),14-16AWG,BlueInsulator,Tape	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BC2302	文件：2.67155 Mbytes Page：5 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS Description TheBC2302usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. DS(ON), Application Batteryprotection Loadswitch Uni	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
BC2302ET	文件：416.55 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET Feature ?20VN-ChannelMOSFETHighDenseDesign. ?RDS(ON)=280m?(typ.)@VGS=4.5V ?RDS(ON)=360m?(typ.)@VGS=2.5V ?ReliableandRugged ?ESDProtected Applications ?PortableEquipmentandBatteryPowerSystems	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
BC2302W	文件：241.72 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE ?TrenchFETPowerMOSFET APPLICATIONS ?LoadSwitchforPortableDevices ?DC/DCConverter	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
BLM2302	文件：224.26 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
BM2302	文件：51.16 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel1.25-W,2.5-VMOSFET	booklyBookly Micro electronic 百力微電子上海百力微電子股份有限公司	bookly
BU2302	文件：301.7 Kbytes Page：13 Pages	CRtimer	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
BU2302F	文件：301.7 Kbytes Page：13 Pages	CRtimer	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
CES2302	文件：411.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,3.0A,RDS(ON)=72mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CES2302	文件：1.8833 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters ?LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
CES2302A	文件：672.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,4.4A,RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=70mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant. RDS(ON)=110mW@VGS=1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CHT2302PT	文件：305.65 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT2.8Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-59/SOT-346) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION *	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
AP2302N
制造商：
A-POWER
制造商全稱：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多AP2302N供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 16:04:00

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