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APM9926KC-TR	文件：141.47 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?20V/6A,RDS(ON)=28m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38m?(typ.)@VGS=2.5V ?SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?ReliableandRugged ?SO-8andTSSOP-8Packages Applications ?PowerManageme	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
APM9926OC-TR	文件：141.47 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?20V/6A,RDS(ON)=28m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38m?(typ.)@VGS=2.5V ?SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?ReliableandRugged ?SO-8andTSSOP-8Packages Applications ?PowerManageme	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
BLM9926	文件：595.53 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
CED9926	文件：59.68 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●20V,26A,RDS(ON)=30m?@VGS=4.5V. RDS(ON)=40m@V?GS=2.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEG9926	文件：56.14 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,4.5A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TSSOP-8forSurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM9926	文件：505.03 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Feature ●20V/,6A,RDS(ON)=30mΩ(MAX)@VGS=4.5V.RDS(ON)=40mΩ(MAX)@VGS=2.5V. ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●SOP-8forSurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM9926	文件：986.07 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CEM9926	文件：382.35 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Feature ●20V/6A,RDS(ON)=33mΩ(MAX)@VGS=4.5V.RDS(ON)=50mΩ(MAX)@VGS=2.5V. ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●SOP-8forSurfaceMountPackage. Applications ●LI-IONProtectionCircuit	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CEM9926	文件：590.19 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,7A,RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=34mW@VGS=2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM9926A	文件：140.59 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM9926A	文件：603.12 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,6A,RDS(ON)=27mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mW@VGS=2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM9926A	文件：1.00679 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features VDS(V)=20V ID=7A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
CEM9926A	文件：350.97 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features VDS(V)=20V ID=7A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
CEU9926	文件：59.68 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●20V,26A,RDS(ON)=30m?@VGS=4.5V. RDS(ON)=40m@V?GS=2.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CHM9926AJPT	文件：421.83 Kbytes Page：3 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT6Ampere FEATURE HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Smallflatpackage.(SO-8) APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CHM9926PAPT	文件：202.96 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT26Ampere FEATURE Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
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