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APT1001RBVR
廠商型號(hào)

APT1001RBVR
功能描述

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
文件大小

68.19 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-25 20:42:00
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APT1001RBVR規(guī)格書詳情

Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

? Faster Switching

? Lower Leakage

? 100 Avalanche Tested

? Popular TO-247 Package

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    APT1001RBVR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 1000V 11A TO-247

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    POWER MOS V®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
APT
07+
TO-247
54
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
APT
23+
NA/
3269
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
 詢價(jià)
MICROSEMI
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價(jià)
MICROSEMI
21+
TO247
1654
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
APT
23+
TO-247B
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
APT
24+
TO-247
19
原裝正品,歡迎來(lái)電咨詢!
 詢價(jià)
ADPOW
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
APT
22+
TO-247
8000
原裝正品支持實(shí)單
 詢價(jià)
Microsemi
589220
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量
 詢價(jià)
APT
24+
TO-247
564
詢價(jià)

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