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APT100GN60B2G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
APT100GN60B2G |
| 參數(shù)屬性 | APT100GN60B2G 封裝/外殼為TO-247-3 變式；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 229A 625W TMAX |
| 功能描述 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs |
| 封裝外殼 | TO-247-3 變式 |
| 文件大小 |
9.86083 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
44 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-16 17:17:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
APT100GN60B2G
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，100A
- 開關(guān)能量：
4.7mJ（開），2.675mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
31ns/310ns
- 測試條件：
400V，100A，1 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3 變式
- 描述：
IGBT 600V 229A 625W TMAX
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
專業(yè)模塊 |
MODULE |
8513 |
模塊原裝主營-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
Microsemi |
23+ |
IGBT |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價 | ||
Microsemi Corporation |
21+ |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | |||
APT |
22+ |
T-MAX |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
APT |
24+ |
TO-3PL |
2100 |
公司大量全新現(xiàn)貨 隨時可以發(fā)貨 |
詢價 | ||
APT |
23+ |
TO-3PL |
7300 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
- |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
MICROSEMI |
638 |
原裝正品 |
詢價 | ||||
ADPOW |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進口原裝 終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
Microchip |
21+ |
15000 |
只做原裝 |
詢價 |
