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APT100GN60B2G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
APT100GN60B2G |
| 參數(shù)屬性 | APT100GN60B2G 封裝/外殼為TO-247-3 變式；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 229A 625W TMAX |
| 功能描述 | IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 變式 |
| 文件大小 |
395.6 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ADPOW |
| 中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-9 13:21:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
APT100GN60B2G
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，100A
- 開關(guān)能量：
4.7mJ（開），2.675mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
31ns/310ns
- 測(cè)試條件：
400V，100A，1 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3 變式
- 描述：
IGBT 600V 229A 625W TMAX
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
24+ |
TO-3PL |
2100 |
公司大量全新現(xiàn)貨 隨時(shí)可以發(fā)貨 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
65000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
Microsemi Corporation |
22+ |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | |||
Microsemi Corporation |
21+ |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | |||
APT |
專業(yè)模塊 |
MODULE |
8513 |
模塊原裝主營(yíng)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
APT |
22+ |
T-MAX |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
Microsemi |
23+ |
IGBT |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
APT Semiconductor |
21+ |
N/A |
5168 |
全新原裝虧本出 |
詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
638 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
Microsemi Corporation |
2022+ |
- |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) |
