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APTCV90TL12T3G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

APTCV90TL12T3G
廠商型號

APTCV90TL12T3G

參數(shù)屬性

APTCV90TL12T3G 封裝/外殼為SP3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3

功能描述

Three level inverter CoolMOS & Trench Field Stop IGBT4 Power Module
IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3

封裝外殼

SP3

文件大小

245.79 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 20:00:00

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APTCV90TL12T3G規(guī)格書詳情

APTCV90TL12T3G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由美高森美公司制造生產(chǎn)的APTCV90TL12T3G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    APTCV90TL12T3G

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 配置:

    三級反相器 - IGBT,F(xiàn)ET

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,50A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SP3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SP3

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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23+
NA/
1930
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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Microsemi Corporation
22+
SP3
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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0603
332000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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