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APTGT50TL601G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
APTGT50TL601G |
| 參數(shù)屬性 | APTGT50TL601G 封裝/外殼為SP1；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1 |
| 功能描述 | Three level inverter Trench Field Stop IGBT Power Module |
| 封裝外殼 | SP1 |
| 文件大小 |
232.01 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-6 8:58:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
APTGT50TL601G
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 配置：
三級反相器
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，50A
- 輸入：
標準
- NTC 熱敏電阻：
無
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
SP1
- 供應(yīng)商器件封裝：
SP1
- 描述：
IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
2339+ |
50A/1200V/PI |
5650 |
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詢價 | ||
APT |
24+ |
50A/1200V/PIM/7U |
6540 |
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詢價 | ||
APT |
24+ |
MODULE |
2100 |
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詢價 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
SP1 |
38550 |
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ADPOW |
23+ |
原廠原包 |
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APT |
2023+ |
50A/1200V/PI |
80000 |
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Microchip Technology |
23+ |
Module |
1262 |
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原廠 |
2023+ |
模塊 |
600 |
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APT |
23+ |
50A/1200V/PI |
50 |
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詢價 | ||
Microchip Technology |
24+ |
SP1 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 |
