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AUIRG4PC40S-E

Insulated Gate Bipolar Transistor

IRF

International Rectifier

AUIRG4PC40S-E

Insulated Gate Bipolar Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AUIRG4PC40S-E

Package：TO-247-3；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 60A 160W TO247

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

G4PC40U

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.1.72V,@Vge=15V,Ic=20A)

Benefits ?Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable ?IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions ?Designedtobeadrop-inreplacementforequivalent industry-standardGeneration3IRIGBTs Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHz

IRF

International Rectifier

G4PC40W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.05V,@Vge=15V,Ic=20A)

Benefits ?Lowerswitchinglossesallowmorecost-effective operationthanpowerMOSFETsupto150kHz (hardswitchedmode) ?Ofparticularbenefittosingle-endedconvertersand boostPFCtopologies150Wandhigher ?Lowconductionlossesandminimalminority-carrier recombinat

IRF

International Rectifier

IRG4PC40

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.32V,@Vge=15V,Ic=31A)

StandardSpeedIGBT Features ?Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4PC40

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.05V,@Vge=15V,Ic=20A)

Benefits ?Lowerswitchinglossesallowmorecost-effective operationthanpowerMOSFETsupto150kHz (hardswitchedmode) ?Ofparticularbenefittosingle-endedconvertersand boostPFCtopologies150Wandhigher ?Lowconductionlossesandminimalminority-carrier recombinat

IRF

International Rectifier

IRG4PC40

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A)

FastCoPackIGBT Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-sof

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IRG4PC40

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A)

FastSpeedIGBT Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits ?Gener

IRF

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IRG4PC40F

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A)

FastSpeedIGBT Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits ?Gener

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International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    AUIRG4PC40S-E

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.5V @ 15V，31A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    450μJ（開(kāi)），6.5mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    22ns/650ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，31A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 160W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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更多AUIRG4PC40S-E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 8:12:00

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