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零件編號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
AUIRGSL30B60K	文件：310.77 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
AUIRGSL30B60K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 78A 370W TO262	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRGB30B60K	文件：328.22 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerformance. ?Low	IRF International Rectifier	IRF
IRGB30B60KPBF	文件：385.77 Kbytes Page：14 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology ?10μsShortCircuitCapability ?SquareRBSOA ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl ?RuggedTransientPerformance	IRF International Rectifier	IRF
IRGB30B60KPBF	文件：323.09 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology ?10μsShortCircuitCapability ?SquareRBSOA ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl ?RuggedTransientPerformance	IRF International Rectifier	IRF
IRGP30B60KD	文件：303.2 Kbytes Page：2 Pages	NPTIGBT DESCRIPTION ·LowDiodeVF ·10μsShortCircuitCapability ·UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics APPLICATIONS ·LowEMI ·RuggedTransientPerformance ·BenchmarkEfficiencyforMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRGP30B60KD-E	文件：603.76 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?TO-247ADPackage Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl	IRF International Rectifier	IRF
IRGP30B60KD-EP	文件：276.23 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?TO-247ADPackage ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyfor	IRF International Rectifier	IRF
IRGP30B60KD-EPBF	文件：276.23 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRGS30B60	文件：328.22 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerformance. ?Low	IRF International Rectifier	IRF

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
AUIRGSL30B60K
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
NPT
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.35V @ 15V，30A
開(kāi)關(guān)能量：
350μJ（開(kāi)），825μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
46ns/185ns
測(cè)試條件：
400V，30A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：
TO-262
描述：
IGBT 600V 78A 370W TO262

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司	AUIRGSL30B60K	Infineon Technologies	23+	TO-262	13000	15年原裝正品企業(yè)	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	AUIRGSL30B60K	Infineon	18+	NA	3445	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	AUIRGSL30B60K	IR	23+	TO-262	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
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