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AVHT425	文件：715.26 Kbytes Page：16 Pages	Illuminated Pushbutton - 22, 25, 28 & 30mm	CIT CIT Relay & Switch	CIT
BE425M	文件：76.06 Kbytes Page：2 Pages	APCBack-UPS,6Outlets,425VA,120V	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德電氣	SCHNEIDER
BFG425W	文件：111.81 Kbytes Page：12 Pages	NPN25GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNdoublepolysiliconwidebandtransistorwithburiedlayerforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES ?Veryhighpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Emitteristhermallead ?Lowfeedbackcapacitance. APPLI	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG425W	文件：663.79 Kbytes Page：4 Pages	Microwave,lownoise,SiGeNPNHBT Microwave,lownoise,SiGeNPNHBT UHF25GHZ,lownoisetransistorwithSiGeHBTtechnique,highpowergain,lownoiseandlargedynamicrange.TheadoptionofsubminiatureSOT-343Rpackage,especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFbroadbandhigh	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
BFG425W	文件：1.95056 Mbytes Page：7 Pages	NPNTransistors ■Features ●Veryhighpowergain ●Lownoisefigure ●25GHzwidebandtransistor ●Emitteristhermallead ●Lowfeedbackcapacitance.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
BFG425W	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFG425W	文件：292.87 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?HighPowerGain ?HighCurrentGainBandwidthProduct ?LowNoiseFigure ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?DesignedforuseinRFwidebandamplifiersandoscillators.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFG425W	文件：664.91 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORRFNPNTRANSISTORMICROWAVELOWNOISE DESCRIPTION UHF25GHz,lownoisetransistorwithSiGeHBTtechnique,highpowergain,lownoiseandlargedynamicrange.TheadoptionofsubminiatureSOT-343package,especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFbroadbandhighfrequencylownoiseampli	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
BGA425	文件：81.62 Kbytes Page：8 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie(Multifunctionalcasc.50廓blockLNA/MIXUnconditionallystable) Si-MMIC-AmplifierinSIEGET?25-Technologie Preliminarydata ?Multifunctionalcasc.50?block(LNA/MIX) ?Unconditionallystable ?Gain\|S21\|2=18.5dBat1.8GHz(appl.1) gain\|S21\|2=22dBat1.8GHz(appl.2) IP3out=+7dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=9.5mA) ?NoisefigureNF=2	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BR425	文件：45.4 Kbytes Page：1 Pages	PinTypeLithiumBatteries(BRSeries):IndividualSpecifications	PANASONICBATTERYPanasonic Battery Group 松下電器松下電器（中國）有限公司	PANASONICBATTERY
CDS-425-CW-D	文件：191.12 Kbytes Page：2 Pages	CDSeriesWhiteLEDLinearFixture	Dialight Dialight Corporation	Dialight
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更多AVHT425供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-22 12:56:00

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