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BAS40W-06V

Marking：46；Package：SOT-323；SCHOTTKY BARRIER DIODE

RECTRON

Rectron Semiconductor

BAS40W-06

SCHOTTKYBARRIERDIODE

RECTRON

Rectron Semiconductor

BAS40W-06

SCHOTTKYBARRIERDIODE

FEATURES Powerdissipation PD:200mW（Tamb=25℃） Collectorcurrent IF:200mA Collector-basevoltage VR:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

BAS40W-06

SurfaceMountSchottkyBarrierDiode

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

BAS40W-06

SchottkyDiode

Features ◇LowForwardVoltage ◇FastSwitching

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

BAS40W-06

SurfaceMountSchottkyBarrierDiode

FEATURES ●LowForwardvoltagedrop. ●Fastswitching. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. ●PNjunctionguardringfortransientandESDprotection. APPLICATIONS ●Forgeneralpurposeswitchingapplications.

DSK

Diode Semiconductor Korea

BAS40W-06

SurfaceMountSchottkyBarrierDiode

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

BAS40W-06

150mWPlastic-EncapsulateSchottkyBarrierDiodes

FEATURES ●LowForwardVoltageDrop ●FastSwitching ●MoistureSensitivityLevel1

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威倫威倫電子股份有限公司

BAS40W-06

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE

Features ?LowForwardVoltageDrop ?FastSwitching ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?PNJunctionGuardRingforTransientandESDProtection ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)

DIODES

Diodes Incorporated

BAS40W-06

SCHOTTKYDIODE

FEATURES ●LowForwardVoltage ●FastSwitching

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

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更多BAS40W-06V供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 16:02:00

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