黄色视频一区,最近2018中文字幕国语视频,国际国内自拍偷拍视频摄影

首頁(yè) >BB730GEPAART>規(guī)格書(shū)列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
BFU730F	文件：136.85 Kbytes Page：12 Pages	NPNwidebandsilicongermaniumRFtransistor Generaldescription NPNsilicongermaniummicrowavetransistorforhighspeed,lownoiseapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Fpackage. Featuresandbenefits ■Lownoisehighgainmicrowavetransistor ■Noisefigure(NF)=0.8dBat5.8GHz ■Highmaximumpowergain18.5dBat	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU730F	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU730FWB	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU730LX	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLV730	文件：509.5 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
BPF-A730	文件：495.71 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BT730	文件：353.26 Kbytes Page：3 Pages	Class1Bluetoothv2.0Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BT730	文件：1.65793 Mbytes Page：31 Pages	modulefromLairdTechnologiesisdesignedtoaddrobust,long-rangeBluetoothdataconnectivitytoanydevice	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT730-SA	文件：353.26 Kbytes Page：3 Pages	Class1Bluetoothv2.0Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BT730-SA	文件：1.65793 Mbytes Page：31 Pages	modulefromLairdTechnologiesisdesignedtoaddrobust,long-rangeBluetoothdataconnectivitytoanydevice	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT730-SC	文件：1.65793 Mbytes Page：31 Pages	modulefromLairdTechnologiesisdesignedtoaddrobust,long-rangeBluetoothdataconnectivitytoanydevice	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT730-SC	文件：353.26 Kbytes Page：3 Pages	Class1Bluetoothv2.0Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BTS730	文件：49.97 Kbytes Page：7 Pages	PWMPowerUnit(Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads.) PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. ?Highsideswitch ?Overtemperaturprotection ?Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidthreductionandoverloadshutdown ?Loaddumpprotection ?Undervoltageandovervoltageshutdown	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BTS730	文件：135.82 Kbytes Page：7 Pages	PWMPowerUnit PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. ●Highsideswitch(Bootstrap) ●Overtemperaturprotection ●Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidthreductionandoverloadshutdown ●Loaddumpprotection ●Undervoltageandovervolta	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS730	文件：187.57 Kbytes Page：10 Pages	SmartHigh-SidePowerSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
CEB730G	文件：419.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP730G400V1Ω5.5A10V CEB730G400V1Ω5.5A10V CEF730G400V1Ω5.5A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeprod	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB730G	文件：658.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED730G	文件：414.34 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED730G	文件：613.99 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 400V,5A,RDS(ON)=1W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF730G	文件：419.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP730G400V1Ω5.5A10V CEB730G400V1Ω5.5A10V CEF730G400V1Ω5.5A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeprod	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET

12 3 >>>

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市英瑞爾電子科技有限公司	BB730GEPAART	ITT	24+	SOD123	598000	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	BB730-GEPAART	ITT	06+	原廠原裝	10001	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BB730-GEPAART	ITT	23+		29850	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋?kù)存,詳	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	BB730-GEPAART	ITT	22+	TR	50000	只做原裝正品,假一罰十,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	BB731	ITT	23+	SOD-123	10000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	BB731	GE	23+	NA	39960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	BB731	ITT	23+	NA	36196	專做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	BB731	VISHAY	2023+	SMD	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳芯力源電子科技有限公司	BB731	ITT	23+	SOP	5177	現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BB731G		24+		6000		詢價(jià)

更多BB730GEPAART供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-27 15:05:00

相關(guān)規(guī)格書(shū)

相關(guān)庫(kù)存