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BD128	文件：118.14 Kbytes Page：2 Pages	SILICONNPNPLANARPOWERTRANSISTORS SiliconNPNPlanarPowerTransistors Features: ●Highreversevoltage ●Powerdissipation17.5W Application:Generalathighsupplyvoltages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
BGF128	文件：558 Kbytes Page：6 Pages	HDMIInterfaceESDProtection	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BLD128D	文件：846.96 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
BLD128D	文件：270.46 Kbytes Page：5 Pages	NPNDSERIESTRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深愛半導體深圳深愛半導體股份有限公司	SISEMIC
BLD128DA	文件：846.92 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
BLD128DA	文件：312.82 Kbytes Page：4 Pages	NPNDSERIESTRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深愛半導體深圳深愛半導體股份有限公司	SISEMIC
BLD128DD	文件：705.06 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
BLDB128D	文件：268.59 Kbytes Page：5 Pages	NPNDSERIESTRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深愛半導體深圳深愛半導體股份有限公司	SISEMIC
BSP128	文件：50.8 Kbytes Page：8 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BU128	文件：15.53 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BUL128	文件：79.68 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BUL128	文件：72.78 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BUL128	文件：235.5 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BUL128	文件：168.91 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
BUL128	文件：65.379 Kbytes Page：1 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA.Thedeviceisdesign	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BUL128	文件：265.57 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=400V(Min.) ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=0.7V(Max)@IC=0.5A ·VeryHighSwitchingSpeed APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitchmodepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
BUL128D	文件：66.76 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Highvoltage,highspeed ·Integratedantiparallelcollector-emitterdiode APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
BUL128D	文件：65.58 Kbytes Page：1 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisd	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BUL128D	文件：267.21 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor EATURES ·Collector–EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=400V(Min.) ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=0.7V(Max)@IC=0.5A ·VeryHighSwitchingSpeed DESCRIPTION ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcost switch-modepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
BUL128DB	文件：193.57 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?Collector–EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=400V(Min.) ?LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=0.7V(Max)@IC=0.5A ?VeryHighSwitchingSpeed APPLICATIONS ?Designedforelectronicballastsforfluorescentlighting.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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