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BSS123

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

DescriptionandApplications TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingDIODESproprietary,highdensity,usesadvancedtrenchtechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperform

DIODES

Diodes Incorporated

BSS123

SIPMOSSmall-Signal-Transistor

SIPMOS?Small-Signal-Transistor Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSS123

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BSS123

PowerMOSFETN-Channel

Features: *LowOn-Resistance:6.0Ω *LowInputCapacitance:20PF *LowOutputCapacitance:9PF *LowThreshole:2.8V *FastSwitchingSpeed:20ns Application: *DCtoDCConverter *Cellular&PCMCIACard *CordlessTelephone *PowerManagementinPortableandBatteryetc.

WEITRON

Weitron Technology

BSS123

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

BSS123

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

BSS123

SIPMOSSmall-Signal-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSS123

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features ?HighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?VoltageControlledSmallSignalSwitch ?SurfaceMountPackage ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?MoistureSensitivityLevel1 ?HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSComplian

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

BSS123

N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage. Features HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Applications ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

BSS123

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Description TheseN-Channelenhancementmodefieldeffecttransistorsusesadvancedtrenchtechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theseproductsareparticularlysuitedforlowvoltage,lowcurr

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BC123(WS,GE,GN,BI)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    微型 （Min）_低頻或音頻放大 （LF）_低噪放大 （ra

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    45V

  • 最大電流允許值：

    0.075A

  • 最大工作頻率：

    250MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BC199,BCW98,3DG120D,

  • 最大耗散功率：

    0.25W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    A-82

  • vtest：

    45

  • htest：

    250000000

  • atest：

    0.075

  • wtest：

    0.25

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BC123

  • 制造商：

    INFINEON

  • 制造商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    npn silicon transistors

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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 詢價(jià)
更多BC123供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-17 14:37:00

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