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BSS123

SIPMOS??Small-Signal-TransistorFeature

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSS123

N-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURE ●Pb-FreePackageisavailable. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteand ControlChangeRequirements;AEC-Q101QualifiedandPPAPCapable.

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

BSS123

N-channelTrenchMOStransistor

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSS123

NChannelMOSFET

NChannelMOSFET FEATURE ●SurfaceMountPackage ●HighDensityCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ●VoltageControlledSmallSignalSwitch ●RuggedandReliable APPLICATION ●SmallServoMotorControls ●PowerMOSFETGateDrivers ●SwitchingApplication

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

BSS123

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary ●VDS100V ●ID200mA ●RDS(ON)(atVGS=10V)

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司

BSS123

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTramsistor

Features ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?HighDrain-SourceVoltageRating

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

BSS123

N-ChannelMOSFET

Features ●VDS(V)=100V ●ID=0.17A(VGS=10V) ●RDS(ON)

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

BSS123

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

FEATURE ●Pb-FreePackageisavailable.

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

BSS123

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BSS123

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

FUTUREWAFER

FutureWafer Tech Co.,Ltd

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BC123(WS,GE,GN,BI)

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    微型 (Min)_低頻或音頻放大 (LF)_低噪放大 (ra

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    45V

  • 最大電流允許值:

    0.075A

  • 最大工作頻率:

    250MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BC199,BCW98,3DG120D,

  • 最大耗散功率:

    0.25W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    A-82

  • vtest:

    45

  • htest:

    250000000

  • atest:

    0.075

  • wtest:

    0.25

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    BC123

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱(chēng):

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    npn silicon transistors

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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SCI
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50000
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22+
NA
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鐵帽原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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更多BC123供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-16 18:22:00