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BC640BU	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC640G	文件：65.81 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors HighCurrentTransistors PNPSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BC640PNP	文件：121.16 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS HighCurrentTransistor	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC640TA	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingandAmplifierApplications SwitchingandAmplifierApplications ?ComplementtoBC639	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC640TA	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC640-TA	文件：721.21 Kbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Highcurrenttransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
BC640TAR	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC640TF	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC640TFR	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BD640CS	文件：123.03 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Voltage40~200VCurrent6A Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. ●Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ●Lowpowerloss,Highefficiency ●Highsurgecapacity ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260oC	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
BD640CS	文件：146.79 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
BD640CT	文件：46.68 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ?Forsurfacemountedapplications ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowpowerloss,Highefficiency ?Highsurgecapacity ?F	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
BD640CT	文件：147.04 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
BFP640	文件：272.86 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainlownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz ?	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：1.36937 Mbytes Page：28 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainlownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz ?	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainlownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz ?	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640ESD	文件：1.88251 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640ESD	文件：1.59951 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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晶體管資料

型號：
BC640(-6...-10)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_TR_輸出極（E）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
80V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BC490,BC528,3CK10E,
最大耗散功率：
0.8W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-20
vtest：
80
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.8

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	BC640(PRFMD)	PHILIPS	23+	原廠正規(guī)渠道	5000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BC640,112	NXP	24+		6		詢價
深圳市易訊博科技有限公司	BC640,112	NXP	22+	NA	45000	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價
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更多BC640(-6...-10)供應(yīng)商更新時間2024-12-23 16:00:00

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