日产欧美一区二区中文一区,色婷婷五月在线精品视频

首頁 >BCL-410-PL>規(guī)格書列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
BCL-410-PL	文件：178.96 Kbytes Page：3 Pages	Compression Style Ring Tongue Terminal for 4 AWG Wire, Stud Size 10, Plated	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-410-PL	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	Compression Style Ring Tongue Terminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCR410	文件：127.65 Kbytes Page：4 Pages	ActiveBiasController ActiveBiasController Characteristics ●Suppliesstablebiascurrentfrom1.8Voperatingvoltageon ●Lowvoltagedrop:110mVfor10mAcollectorcurrrent Applicationnotes ●StabilizingbiascurrentofNPNtransistorsandFETsfrom100μAto20mA ●IdealsupplementforSiegetandothertrans	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR410W	文件：127.65 Kbytes Page：4 Pages	ActiveBiasController ActiveBiasController Characteristics ●Suppliesstablebiascurrentfrom1.8Voperatingvoltageon ●Lowvoltagedrop:110mVfor10mAcollectorcurrrent Applicationnotes ●StabilizingbiascurrentofNPNtransistorsandFETsfrom100μAto20mA ●IdealsupplementforSiegetandothertrans	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR410W	文件：170.88 Kbytes Page：6 Pages	ActiveBiasController	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BD410	文件：123.51 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR TO-126 PlasticPackage	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BD410	文件：72.17 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXILASILICONPOWERTRANSISTORS NPNEPITAXILASILICONPOWERTRANSISTORS TheyaresiliconepitaxialplanarNPNpowertransistorsmountedinaTO-126plasticpackage. AF-amplifierforhighsupplyvoltageTheyareintendedforcontrolcircuit,verticaloutputstagesinTVsets,andgeneralpurposeapplications.Complianceto	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BF410	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BF410A	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BF410A	文件：36.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors DESCRIPTION AsymmetricalN-channelplanarepitaxialjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variant;intendedforapplicationsuptotheVHFrange. TheseFETscanbesuppliedinfourIDSSgroups.Specialfeaturesarethelowfeedbackcapacitanceandthelownoisefigure.Thanks	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF410B	文件：36.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors DESCRIPTION AsymmetricalN-channelplanarepitaxialjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variant;intendedforapplicationsuptotheVHFrange. TheseFETscanbesuppliedinfourIDSSgroups.Specialfeaturesarethelowfeedbackcapacitanceandthelownoisefigure.Thanks	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF410B	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BF410C	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BF410C	文件：36.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors DESCRIPTION AsymmetricalN-channelplanarepitaxialjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variant;intendedforapplicationsuptotheVHFrange. TheseFETscanbesuppliedinfourIDSSgroups.Specialfeaturesarethelowfeedbackcapacitanceandthelownoisefigure.Thanks	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF410D	文件：36.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors DESCRIPTION AsymmetricalN-channelplanarepitaxialjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variant;intendedforapplicationsuptotheVHFrange. TheseFETscanbesuppliedinfourIDSSgroups.Specialfeaturesarethelowfeedbackcapacitanceandthelownoisefigure.Thanks	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF410D	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BFG410	文件：104.6 Kbytes Page：12 Pages	NPN22GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNdoublepolysiliconwidebandtransistorwithburiedlayerforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES ?Veryhighpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Emitteristhermallead ?Lowfeedbackcapacitance. APPLI	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG410W	文件：104.6 Kbytes Page：12 Pages	NPN22GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNdoublepolysiliconwidebandtransistorwithburiedlayerforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES ?Veryhighpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Emitteristhermallead ?Lowfeedbackcapacitance. APPLI	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG410W	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFP410	文件：551.66 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Lowcurrentdevicesuitablee.g.forhandhelds ?Forhighfrequencyoscillatorse.g.DROforLNB ?ForISMbandapplicationslike AutomaticMeterReading,Sensorsetc. ?TransitfrequencyfT=25GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepa	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

12 3 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BCL-410-PL
制造商：
MOLEX
制造商全稱：
Molex Electronics Ltd.
功能描述：
Compression Style Ring Tongue Terminal for 4 AWG Wire, Stud Size 10, Plated

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市聯(lián)世界科技有限公司（原深創(chuàng)輝科技）	BCL4428BE	SSS	1983		50	原裝正品長(zhǎng)期供貨，如假包賠包換徐小姐13714450367	詢價(jià)
深圳市振鑫微電子科技有限公司	BCL4428BE	SSS	23+		589610	新到現(xiàn)貨原廠一手貨源價(jià)格秒殺代理!	詢價(jià)
深圳芯力源電子科技有限公司	BCL4449BC	N/A	23+	原廠封裝	5177	現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	BCL45	BITECH	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市美思瑞電子科技有限公司	BCL4502BC	S	22+	CDIP	12245	現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!	詢價(jià)
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司	BCL4510BC	MOT	7923		21	公司優(yōu)勢(shì)庫(kù)存熱賣中!	詢價(jià)
深圳市寶隆宏業(yè)科技有限公司	BCL4510BC	S	2122+	CDIP	11190	全新原裝正品現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)渠道可含稅,假一賠十	詢價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	BCL4511BC		22+	DIP	2700	全新原裝自家現(xiàn)貨優(yōu)勢(shì)!	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BCL453232-100J		24+		13500		詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	BCL453232-100J	CHINAXYJ	23+	4532	9868	專做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)

更多BCL-410-PL供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-9 9:10:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫(kù)存