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BCR08AS-14AT14B10

700V - 0.8A - Triac Low Power Use

Features ?IT(RMS):0.8A ?VDRM:700V ?IFGTI,IRGTI,IRGTIII:5mA ?CompletedPbFree ?Non-InsulatedType ?PlanarPassivationType ?SurfaceMountedType Applications HybridIC,solidstaterelay,electricfan,washingmachine,andothergeneralpurposecon

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

BCR08AS-8

LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

?IT(RMS).....................................................................0.8A ?VDRM.......................................................................400V ?IFGTI,IRGTII,IRGTIII.............................................5mA ?IFGTIII...............................

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

BCR08AS-8

LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

?IT(RMS).....................................................................0.8A ?VDRM.......................................................................400V ?IFGTI,IRGTII,IRGTIII.............................................5mA ?IFGTIII..............................

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

BCR08PN

NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array

NPN/PNPSiliconDigitalTransistorArray ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNP Transistorsinonepackage ?BuiltinbiasresistorNPNandPNP (R1=2.2k?,R2=47k?) ?Pb-free(RoHScompliant)package ?Qualified

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR08PN

NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit)

NPN/PNPSiliconDigitalTansistorArray ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivecircuit ?Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNPTransistorinonepackage ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BCR08PN

SMD Digital NPN/PNP Transistors

Features Twocomplementarytransistorsinonepackage Costandspacesavingsbyintegrated biasresistorcombinations ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing, Switching,Amplification Commercialgrade Suffix-Q:AEC

Diotec

Diotec Semiconductor

BCR10

NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit)

NPN/PNPSiliconDigitalTansistorArray ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivecircuit ?Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNPTransistorinonepackage ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=10k?)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BCR10

NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array

NPN/PNPSiliconDigitalTransistorArray ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNP Transistorsinonepackage ?BuiltinbiasresistorNPNandPNP (R1=10k?,R2=10k?) ?Pb-free(RoHScompliant)package ?Qualified

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR101

NPN Silicon Digital Transistor

?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=100k?,R2=100k?)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR101F

NPN Silicon Digital Transistor

?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=100k?,R2=100k?)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

晶體管資料

  • 型號：

    BCR

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質：

    表面帖裝型 （SMD）_低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    40V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    100MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SB1188,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-100

  • vtest：

    40

  • htest：

    100000000

  • atest：

    2

  • wtest：

    0

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BCR

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Thin Film, Back-Contact Resistor

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
80
原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢
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ROHMBCRUBCR
PNP39aNF50V2A100MHZ
SOT89 2SB1188T100R
1000
全新原裝現(xiàn)貨 樣品可售
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INFINEON/英飛凌
23+
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INFINEON/英飛凌
23+
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INFINEON
23+
SOT89
7000
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INFINEON
24+
原廠原封
6000
原裝進口香港現(xiàn)貨價優(yōu)
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24+
TO-220F
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
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RENESAS
24+
TO-220F
30980
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更多BCR供應商 更新時間2025-3-29 15:37:00

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