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BCR108

Marking：WHs；Package：SOT-23；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?BCR108S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage ?BCR108S:Fororientationinreelsee packa

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR108F

Marking：WHs；Package：TSFP-3；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?BCR108S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage ?BCR108S:Fororientationinreelsee packa

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BCR108F

Marking：WHs；Package：TSFP-3；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

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BCR108F

Marking：WHs；Package：TSFP-3；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR108L3

Marking：WH；Package：TSLP-3-4；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

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BCR108L3

Marking：WH；Package：TSLP-3-4；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

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BCR108S

Marking：WHs；Package：SOT-363；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR108S

Marking：WHs；Package：SOT-363；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR108S

NPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

NPNSiliconDigitalTransistorArray ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Two(galvanic)internalisolatedTransistorsinonpackage ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BCR108S

Marking：WHs；Package：SOT-363；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?BCR108S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage ?BCR108S:Fororientationinreelsee packa

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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BCR

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    40V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    100MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    2SB1188,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-100

  • vtest：

    40

  • htest：

    100000000

  • atest：

    2

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BCR

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Thin Film, Back-Contact Resistor

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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