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BFG25A/X分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG25A/X
廠商型號

BFG25A/X

參數(shù)屬性

BFG25A/X 封裝/外殼為TO-253-4,TO-253AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B

功能描述

NPN 5 GHz wideband transistor

封裝外殼

TO-253-4,TO-253AA

文件大小

289.38 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-9 20:00:00

BFG25A/X規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon wideband transistor in a four-lead dual emitter SOT143B plastic package (cross emitter).

FEATURES

? Low current consumption (100 μA to 1 mA)

? Low noise figure

? Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

? RF low power amplifiers, such as pocket telephones, paging systems, with signal frequencies up to 2 GHz.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BFG25A/X,215

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    5V

  • 頻率 - 躍遷:

    5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.8dB ~ 2dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值:

    32mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 500μA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    6.5mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-143B

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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