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BFG520W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BFG520W
廠商型號(hào)

BFG520W

參數(shù)屬性

BFG520W 封裝/外殼為SOT-343 反向插針;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO

功能描述

NPN 9 GHz wideband transistors

封裝外殼

SOT-343 反向插針

文件大小

154.23 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-10 23:00:00

BFG520W規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N plastic package.

FEATURES

? High power gain

? Low noise figure

? High transition frequency

? Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

RF front end wideband applications in the GHz range, such as analog and digital cellular telephones, cordless

telephones (CT2, CT3, PCN, DECT, etc.), radar detectors, pagers, satellite television tuners (SATV) and repeater

amplifiers in fibre-optic systems.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFG520W/X,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 頻率 - 躍遷:

    9GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 20mA,6V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-343 反向插針

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    4-SO

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP(恩智浦)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
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PHILIPS/飛利浦
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