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BFG540W/XR	文件：162.31 Kbytes Page：16 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorsinplastic,4-pindual-emitterSOT343NandSOT343Rpackages. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS Theyareintend	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG540W/XR	文件：132.2 Kbytes Page：16 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MATV/CATVamplifiersandrepeateramplifiersinfibre	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG540W/XR,135	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：SC-82A，SOT-343 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 15V 9GHZ CMPAK-4	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
BFG540W-X	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
BFG540W-XR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
BFG540X	文件：343.31 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
BFG540-X	文件：556.92 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis13dB@VCE=8V，IC=40mA，f=0.9GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.8dB@VCE=10V，IC=10mA，f=0.9GHz fT(TYP.):TYP.Valueis9GHz@VCE=8V，IC=40mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
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BFG540-XR	文件：556.92 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis13dB@VCE=8V，IC=40mA，f=0.9GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.8dB@VCE=10V，IC=10mA，f=0.9GHz fT(TYP.):TYP.Valueis9GHz@VCE=8V，IC=40mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
BFM540	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
BFP540	文件：159.89 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forhighestgainandlownoiseamplifier ?OutstandingGms=21.5dBat1.8GHzMinimumnoisefigureNFmin=0.9dBat1.8GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540	文件：548.51 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540	文件：578.51 Kbytes Page：10 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540ESD	文件：228.29 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?ForESDprotectedhighgainlownoiseamplifier ?HighESDrobustness typicalvalue1000V(HBM) ?OutstandingGms=21.5dB@1.8GHz MinimumnoisefigureNFmin=0.9dB@1.8GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackage withvi	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540ESD	文件：602.67 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540ESD	文件：628.47 Kbytes Page：9 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540F	文件：189.37 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forhighestgainlownoiseamplifierat1.8GHz ?OutstandingGms=20dB NoiseFigureF=0.9dB ?Goldmetallizationforhighreliability ?SIEGET45-Line	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540FESD	文件：112.56 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconRFTransisto NPNSiliconRFTransistor* ?ForESDprotectedhighgainlownoiseamplifier ?ExcellentESDperformancetypicalvalue1000V(HBM) ?OutstandingGms=20dB NoiseFigureF=0.9dB ?SIEGET?45-Line ?Pb-free(ROHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdesc	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540FESD	文件：504.48 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細參數(shù)

型號：
BFG540W/XR
制造商：
PHILIPS
制造商全稱：
NXP Semiconductors
功能描述：
NPN 9 GHz wideband transistor

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BFG540W/XR	NXP(恩智浦)	23+	標準封裝	13548	全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質量保障	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	BFG540W/XR	NXP	23+	SOT343R	21000	原裝現(xiàn)貨特價熱銷	詢價
深圳市金華微盛電子有限公司	BFG540W/XR	NXP/恩智浦	2019+	SOT-343	78550	原廠渠道可含稅出貨	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BFG540W/XR	NXP(恩智浦)	23+	N/A	12000	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	BFG540W/XR	NXP/恩智浦	24+	SOT-343	504244	免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價
柒號芯城電子商務(深圳)有限公司	BFG540W/XR	NXP	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)	詢價
深圳市中福國際管理有限公司	BFG540W/XR	NXP/恩智浦	23+	SOT-343	3000	專業(yè)供應MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	BFG540W/XR	NXP	23+	原廠封裝	12300		詢價
深圳市一線半導體有限公司	BFG540W/XR	PHI	24+	SOT-343	124000		詢價
深圳市凌旭科技有限公司	BFG540W/XR	NXP	2016+	SOT343	4529	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價

更多BFG540W/XR供應商更新時間2024-12-24 23:00:00

詳細參數(shù)

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