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BFP640FESD	文件：1.64277 Mbytes Page：28 Pages	Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor ProductBrief TheBFP640FESDisaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.1VandcurrentsuptoIC=50mA.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640FESDH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD，扁平引線；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY640	文件：136.06 Kbytes Page：3 Pages	HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY640B	文件：136.06 Kbytes Page：3 Pages	HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BLV640	文件：438.86 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
BRD640	文件：1.18135 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
BRUS640	文件：58.03 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY8AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi
C640	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features ?SingleOutput ?3Ux42TEx166.5mm ?Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C640	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
CDBD640-G	文件：94.81 Kbytes Page：4 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBD640-HF	文件：485.62 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features -Metalsiliconjunction,majorcarrierconduction. -6Atotal(3Aperdiodeleg). -Guardingforovervoltageprotection. -Lowpowerloss,highefficiency. -Excellentpowerdissipationoffersbetterreverse leakagecurrentandthermalresistance. -LowProfilesurfacemountappl	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CEBF640	文件：402.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEBF640	文件：507.74 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEBF640	文件：627.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEDF640	文件：505.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■200V,15A,RDS(ON)=0.15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-251&TO-252package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEDF640	文件：571.12 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 200V,15A,RDS(ON)=0.15W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEFF640	文件：464.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEFF640	文件：402.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEFF640	文件：1.14058 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
CEFF640	文件：627.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

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詳細參數(shù)

型號：
BFP640FESD
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
RF BIP TRANSISTORS
功能描述：
RF BIP TRANSISTORS - Tape and Reel
功能描述：
TRANS RF NPN 4.5V 50MA 4TSFP

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市英科美電子有限公司	BFP640FESD	INFINEON/英飛凌	2021+	SOT23-3	17814	原裝進口假一罰十	詢價
深圳市川藍電子科技有限公司	BFP640FESD	INFINEON	23+	TSFP-4-1	14253	原包裝原標現(xiàn)貨,假一罰十,	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	BFP640FESD	INFINEON	23+	TSFP-4	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	BFP640FESD	INFINEON	23+	TSFP-4	7000		詢價
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司	BFP640FESD	INFINEON	24+	con	35960	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢價
深圳市德力誠信科技有限公司	BFP640FESD	INFINEON	24+	con	35960	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢價
千層芯半導體(深圳)有限公司	BFP640FESDH6327	Infineon	24+	SMD	8000	射頻(RF)雙極晶體管	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	BFP640FESDH6327	英飛凌	報價為準	INF	2990	國外訂貨7-10個工作日	詢價
深圳市納立科技有限公司	BFP640FESDH6327		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價
深圳市艾宇欣科技有限公司	BFP640FESDH6327XTSA1	Infineon	1931+	N/A	493	加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物	詢價

更多BFP640FESD供應商更新時間2025-1-18 14:04:00

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