BFP640FESD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

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廠家型號(hào)：
BFP640FESD
產(chǎn)品分類(lèi)：
芯片
生產(chǎn)廠商：
INFINEON
庫(kù)存數(shù)量：
35960
產(chǎn)品封裝：
con
生產(chǎn)批號(hào)：
24+
庫(kù)存類(lèi)型：
常用庫(kù)存
更新時(shí)間：
2025-1-27 9:00:00

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原廠料號(hào)：BFP640FESD品牌：INFINEON

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BFP640FESD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝con/4-SMD，扁平引線(xiàn)的BFP640FESD晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號(hào)：
BFP640FESD
規(guī)格書(shū)：
下載下載2
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：
INFINEON【英飛凌】詳情
廠商全稱(chēng)：
Infineon Technologies AG
中文名稱(chēng)：
英飛凌科技股份公司
內(nèi)容頁(yè)數(shù)：
28 頁(yè)
文件大?。?/span>
1642.77 kb
資料說(shuō)明：
Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

產(chǎn)品屬性

類(lèi)型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
BFP640FESDH6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類(lèi)型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
4.7V
頻率 - 躍遷：
46GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益：
8B ~ 30.5dB
功率 - 最大值：
200mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 30mA，3V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
50mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
4-SMD，扁平引線(xiàn)
供應(yīng)商器件封裝：
4-TSFP
描述：
RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
王女士
手機(jī)：
13969210552
詢(xún)價(jià)：
電話(huà)：
13969210552
地址：
深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)城市商業(yè)中心3204

BFP640FESD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

BFP640FESD

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

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