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首頁>BFR193FH6327XTSA1>芯片詳情
BFR193F 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 INFINEON/英飛凌
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):BFR193F品牌:INFINEON
查現(xiàn)貨到京北通宇商城
BFR193F是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝con/SOT-723的BFR193F晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
BFR193FH6327XTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
12V
- 頻率 - 躍遷:
8GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- 增益:
12.5dB
- 功率 - 最大值:
580mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 30mA,8V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
80mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-723
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TSFP-3
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市德力誠信科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
王女士
- 手機(jī):
13969210552
- 詢價(jià):
- 電話:
13969210552
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路3031號(hào)漢國城市商業(yè)中心3204
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