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BIDW20N60T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

BIDW20N60T
廠商型號(hào)

BIDW20N60T

參數(shù)屬性

BIDW20N60T 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 20A TRENCH TO-247N

功能描述

BIDW20N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

1.32827 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Bourns Electronic Solutions
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Bourns伯恩斯

中文名稱

伯恩斯官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-25 20:42:00

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BIDW20N60T規(guī)格書詳情

General Information

The Bourns? Model BIDW20N60T IGBT device combines technology from a MOS gate

and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current

applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater

control of dynamic characteristics with a lower conduction loss and fewer switching

losses. In addition, this structure provides a positive temperature coefficient.

Features

600 V, 20 A, Low Collector-Emitter

Saturation Voltage (VCE(sat))

Trench-Gate Field-Stop technology

Optimized for conduction

Low switching loss

RoHS compliant*

Applications

Switch-Mode Power Supplies (SMPS)

Uninterruptible Power Sources (UPS)

Power Factor Correction (PFC)

Stepper motors

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BIDW20N60T

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    1mJ(開), 300μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    19ns/48ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 600V 20A TRENCH TO-247N

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
BEREX
0825+
SOT-89
437
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
BEREX
22+
SOT-89
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價(jià)
BOURNS
23+
TO-247
4195
三極管/MOS管/晶體管 > IGBT管/模塊
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