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BLA6H0912LS-1000分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BLA6H0912LS-1000
廠商型號(hào)

BLA6H0912LS-1000

參數(shù)屬性

BLA6H0912LS-1000 封裝/外殼為SOT-539B;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B

功能描述

LDMOS avionics power transistor
RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B

封裝外殼

SOT-539B

文件大小

969.14 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-8 20:00:00

BLA6H0912LS-1000規(guī)格書(shū)詳情

BLA6H0912LS-1000屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLA6H0912LS-1000晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

1000W LDMOS pulsed power transistor intended for avionics transmitter applications in

the 960 MHz to 1215 MHz frequency range such as Mode-S, TCAS, JTIDS, DME and

TACAN.

Features and benefits

? Easy power control

? Integrated ESD protection

? High flexibility with respect to pulse formats

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (960 MHz to 1215 MHz)

? Internally matched for ease of use

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? 1000 W LDMOS pulsed power transistor intended for Mode-S, TCAS, JTIDS, DME

and TACAN applications in the 960 MHz to 1215 MHz frequency range

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLA6H0912LS-1000U

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    1.03GHz

  • 增益:

    15.5dB

  • 功率 - 輸出:

    1000W

  • 封裝/外殼:

    SOT-539B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT539B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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