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BLF6G10L分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF6G10L
廠商型號(hào)

BLF6G10L

參數(shù)屬性

BLF6G10L 封裝/外殼為SOT-1110A;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V SOT1110A

功能描述

260 W LDMOS power transistor for base station applications

文件大小

284.63 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-5 11:18:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLF6G10L-260PBM

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 額定電流(安培):

    64A

  • 功率 - 輸出:

    40W

  • 封裝/外殼:

    SOT-1110A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    LDMOST

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V SOT1110A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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