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BLF6G22LS-180RN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF6G22LS-180RN
廠商型號

BLF6G22LS-180RN

參數(shù)屬性

BLF6G22LS-180RN 封裝/外殼為SOT-502B;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B

功能描述

Power LDMOS transistor

封裝外殼

SOT-502B

文件大小

105.72 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-9 10:34:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLF6G22LS-180RN

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.11GHz ~ 2.17GHz

  • 增益:

    16dB

  • 額定電流(安培):

    49A

  • 功率 - 輸出:

    40W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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