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BSM10GD120DN2分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

PDF無圖
廠商型號

BSM10GD120DN2

參數(shù)屬性

BSM10GD120DN2 封裝/外殼為模塊;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊;產品描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211

功能描述

BSM10GD120DN2
LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211

封裝外殼

模塊

文件大小

308.883 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
資料整理 蘇州銀邦電子科技有限公司
數(shù)據(jù)手冊

本地下載下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-5-25 13:28:00

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BSM10GD120DN2規(guī)格書詳情

BSM10GD120DN2屬于分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產的BSM10GD120DN2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    BSM10GD120DN2E3224BPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    散裝

  • 配置:

    全橋

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,10A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應商器件封裝:

    AG-ECONO2B

  • 描述:

    LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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