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BSM10GD120DN2分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BSM10GD120DN2 |
參數(shù)屬性 | BSM10GD120DN2 封裝/外殼為模塊;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊;產品描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211 |
功能描述 | BSM10GD120DN2 |
封裝外殼 | 模塊 |
文件大小 |
308.883 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
資料整理 | 蘇州銀邦電子科技有限公司 |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-25 13:28:00 |
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BSM10GD120DN2規(guī)格書詳情
BSM10GD120DN2屬于分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產的BSM10GD120DN2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產品屬性
更多- 產品編號:
BSM10GD120DN2E3224BPSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
散裝
- 配置:
全橋
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
3.2V @ 15V,10A
- 輸入:
標準
- NTC 熱敏電阻:
無
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
模塊
- 供應商器件封裝:
AG-ECONO2B
- 描述:
LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
Module |
1262 |
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Infineon |
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Infineon(英飛凌) |
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INF |
24+ |
20 |
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