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BSM150GB120DN2

IGBTPowerModule

?Half-bridge ?Includingfastfree-wheelingdiodes ?Packagewithinsulatedmetalbaseplate

eupec

eupec GmbH

BSM150GB120DN2

IGBTPowerModule(Half-bridgeIncludingfastfree-wheelingdiodesPackagewithinsulatedmetalbaseplate)

?Half-bridge ?Includingfastfree-wheelingdiodes ?Packagewithinsulatedmetalbaseplate

SIEMENSSiemens Ltd

西門子德國西門子股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BSM150GB120DN2F

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT 1200V 150A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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更多BSM150GB120DN2F供應(yīng)商 更新時間2024-10-26 8:30:00

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