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BSM25GB120DN2

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BSM25GB120DN2

IGBT Power Module

eupec

eupec GmbH

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BSM25GB120DN

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 1200V 25A DUAL

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
EUPEC
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更多BSM25GB120DN供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-6 15:49:00

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