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BSM25GB120DN2中文資料西門子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BSM25GB120DN2
廠商型號(hào)

BSM25GB120DN2

功能描述

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

文件大小

111.4 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 8:58:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BSM25GB120DN2

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 1200V 25A DUAL

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

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