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BSM200GT120DN2中文資料西門子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BSM200GT120DN2
廠商型號

BSM200GT120DN2

功能描述

IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)

文件大小

180 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 15:00:00

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BSM200GT120DN2規(guī)格書詳情

IGBT Power Module

Preliminary data

? Solderable Power module

? 3-phase full-bridge

? Including fast free-wheel diodes

? Package with insulated metal base plate

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BSM200GT120DN2

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 1200V 200A TRIPACK

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

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