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BSM75GB170DN2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

BSM75GB170DN2
廠商型號(hào)

BSM75GB170DN2

參數(shù)屬性

BSM75GB170DN2 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1700V 110A 625W

功能描述

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

文件大小

113.21 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國(guó)西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-3 10:25:00

BSM75GB170DN2規(guī)格書詳情

IGBT Power Module

Preliminary data

? Half-bridge

? Including fast free-wheeling diodes

? Package with insulated metal base plate

? RG on,min = 22 Ohm

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BSM75GB170DN2HOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤托盤

  • 配置:

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.9V @ 15V,75A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

    無(wú)

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模塊

  • 描述:

    IGBT MOD 1700V 110A 625W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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