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BSM75GB120DN2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BSM75GB120DN2 |
| 參數(shù)屬性 | BSM75GB120DN2 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 1200V 105A 625W |
| 功能描述 | IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) |
| 封裝外殼 | 模塊 |
| 文件大小 |
112.89 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Siemens Semiconductor Group |
| 企業(yè)簡稱 |
SIEMENS【西門子】 |
| 中文名稱 | 德國西門子股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-5 14:18:00 |
| 人工找貨 | BSM75GB120DN2價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
BSM75GB120DN2規(guī)格書詳情
? Half-bridge
? Including fast free-wheeling diodes
? Package with insulated metal base plate
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
BSM75GB120DN2HOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- 配置：
半橋
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，75A
- 輸入：
標準
- NTC 熱敏電阻：
無
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應商器件封裝：
模塊
- 描述：
IGBT MOD 1200V 105A 625W
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
MODULE |
14100 |
原裝正品 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
MODULE |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
EUPEC |
24+ |
module |
6000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,假一賠佰 |
詢價 | ||
EUPEC |
專業(yè)模塊 |
MODULE |
8513 |
模塊原裝主營-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
22+ |
NA |
7000 |
原廠原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IGBT |
23+ |
模塊 |
20 |
詢價 | |||
EUPEC |
22+ |
模塊 |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
EUPEC |
24+ |
模塊 |
99 |
詢價 | |||
SIEMENS |
23+ |
模塊 |
360 |
價格優(yōu)勢、原裝現(xiàn)貨、客戶至上。歡迎廣大客戶來電查詢 |
詢價 | ||
EUPEC |
24+ |
75A/1200V/IG |
21322 |
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詢價 |
